Fabricante: Infineon / IR
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Pacote / Caixa: TO-220-3
Polaridade do transistor: canal N
Número de canais: 1 canal
Vds – Tensão de ruptura da fonte de drenagem: 55 V
Id – Corrente de drenagem contínua: 110 A
Rds On – Resistência da Fonte de Drenagem: 8 mOhms
Vgs – Tensão da fonte de porta: – 20 V, + 20 V
Temperatura Mínima de Operação: – 55 C
Temperatura máxima de operação: + 175 C
Pd – Dissipação de energia: 200 W
Modo de canal: aprimoramento
Configuração: Única
Altura: 15,65 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,4 mm
Marca: Infineon / IR
Tempo de queda: 65 ns
Tipo de produto: MOSFET
Tempo de subida: 101 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de atraso típico para desligar: 50 ns
Tempo de atraso típico na ativação: 14 ns
Peso unitário: 6 g